المقاومة الذاكرية Memristor

مقدمة

Memristor هي مكون كهربائي يعتبر أحد العناصر الأساسية في الدوائر الكهربائية والإلكترونية، بالإضافة إلى المقاوم (Resistor)، والمكثف (Capacitor)، والمحاثة (Inductor). تم اقتراح مفهوم Memristor لأول مرة من قبل ليون تشوا (Leon Chua) في عام 1971. يُعتبر Memristor اختصاراً لعبارة "Memory Resistor" أو "مقاوم الذاكرة"، وهذا يعكس قدرته الفريدة على الاحتفاظ بحالته حتى بعد انقطاع التيار الكهربائي.

الخصائص الأساسية للـ Memristor 

العلاقة بين التيار والجهد: يتميز Memristor بأن مقاومته تتغير وفقاً لتدفق التيار الكهربائي. بمعنى آخر، يمكن "تذكر" مقدار التيار الذي مر عبره وتعديل مقاومته بناءً على ذلك. هذا يتم تمثيله رياضياً بالعلاقة التالية:

حيث:

• V(t) هو الجهد عبر Memristor .
• I(t) هو التيار المار عبر Memristor .
• M(q(t)) هو الذاكرة (Memristance) وهو دالة تعتمد على الشحنة المتراكمة 

القوانين الأساسية

1. علاقة الذاكرة :

حيث :

• M الذاكرة (Memristance).
• ϕ(t) هو الفيض المغناطيسي.
• q(t) هو الشحنة المتراكمة.

2. التيار المار عبر الذاكرة :

خاتمة

Memristor هو عنصر كهربائي مبتكر يمكن أن يحدث ثورة في العديد من مجالات التكنولوجيا. بفضل قدرته على الاحتفاظ بالذاكرة واستهلاك الطاقة المنخفض، يمكن أن يسهم في تطوير تقنيات الحوسبة والتخزين بشكل كبير، مما يمهد الطريق لمزيد من الابتكارات والتطورات في المستقبل.